低沉積溫度:BDEAS 可在相對較低的溫度 (100-300°C) 下進行 ALD 製程,這對溫度敏感的基板非常有利.
適當的反應性:BDEAS 與臭氧和氧等常見氧化劑反應良好,可形成 SiO2 薄膜.
良好的薄膜品質:而且可以生產出高品質、均勻的薄膜,厚度控制也可以很精準,
並且也可以幫助 Hf (蝦) 的薄膜層積上去, 增加高介電的薄膜效果
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郭晉榮/Alex Kuo
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